存储市场价格剧烈波动

2026年7月，消费级存储市场出现显著涨价现象。其中，16G DDR5内存价格从450元涨至1800元，涨幅达300%；部分主流DDR5高速颗粒价格从年初的4.68美元飙升至年中的34.08美元，单月涨幅突破100%。受此影响，显卡市场在7月24日迎来全面涨价，中高端显卡上调数百至上千元。根据博板堂消息，华硕已执行涨价政策，RTX 5070 Ti普涨200元，RTX 5060普涨30元，AMD RX 7650 GRE涨230元。

产能错配与AI需求驱动

价格上涨的核心驱动力被认为是AI需求的虹吸效应。单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8-10倍，NAND闪存用量是其3倍以上。三星、SK海力士、美光三大原厂将70%至90%的先进产能转向高利润的HBM和企业级SSD。由于HBM的单GB利润是普通内存的20倍，厂商优先保障AI订单，导致消费级GDDR显存等产品产能受限。

这种结构性产能错配导致供需缺口扩大。高盛判断，2026年全球DRAM、NAND闪存和HBM的供需缺口分别为4.9%、4.2%和5.1%，为2011年以来最高水平。群联电子CEO表示，公司仅能满足客户三成需求。

企业业绩与市场预期

在量价齐升的背景下，部分存储企业业绩大幅增长。普冉股份2026年上半年预计营业收入39.5亿元，同比增长335.65%，归母净利润8.25亿元，同比增长1925.36%。南亚科技2026年6月营收同比增长621.34%，并预期DRAM市场供不应求市况将延续至2027年上半年。

未来趋势与风险预警

尽管短期涨势强劲，但行业内部出现分歧。摩根士丹利在7月21日的报告中警告，AI存储狂欢接近拐点，内存合同价格预计将于2026年第四季度见顶。其依据包括DRAM合约价格同比增速下行以及第二季度模组厂库存回升。

此外，中国存储产能的释放被视为重要变量。长鑫存储2026年全球DRAM市占率已达7.7%，长江存储NAND全球市占率攀升至13%。SK海力士CEO预警2027年将是供应最严峻的一年，但多家机构预测2027年下半年至2028年上半年将是价格回落的关键窗口。