国产存储双子星IPO提速
国产存储双子星IPO提速
国产DRAM龙头长鑫科技定档2026年7月27日在科创板上市。该公司首发基础募资约579亿元,打破中芯国际纪录成为科创板最高募资IPO;若超额配售权全额行使,预计募资将达666.07亿元。此次IPO吸引了合肥国资、大基金、阿里巴巴等产业资本关注。市场对其高发行市盈率存在分歧,部分专家认为其具备高溢价潜力,另有观点担忧周期性泡沫风险。
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国产DRAM龙头长鑫科技定档2026年7月27日在科创板上市。该公司首发基础募资约579亿元,打破中芯国际纪录成为科创板最高募资IPO;若超额配售权全额行使,预计募资将达666.07亿元。此次IPO吸引了合肥国资、大基金、阿里巴巴等产业资本关注。市场对其高发行市盈率存在分歧,部分专家认为其具备高溢价潜力,另有观点担忧周期性泡沫风险。
长鑫科技(股票代码:688825)发布公告,确定发行价格为8.66元/股,将于2026年7月27日在科创板上市。本次发行基础规模约66.88亿股,预计募集资金总额约579.19亿元,若超额配售选择权全额行使,募资总额预计达666.07亿元。公司发行市值约5792亿元,发行市盈率约308倍,而发行后市净率约5倍。
国内存储芯片龙头长鑫科技(688825)将于2026年7月27日在科创板上市。本次发行价为8.66元/股,基础募资约579亿元,刷新科创板最高募资纪录。公司在DRAM领域产能规模位居中国第一、全球第四,股东涵盖合肥国资、大基金、阿里、腾讯及小米等。公司预计2026年上半年归母净利润在500亿元至570亿元之间。