美国存储设备禁令出现变动

据报道，美国《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）在修订过程中，已悄然删除一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令。此类设备由美国泛林半导体与日本东京电子主导供应，是先进DRAM制造及3D NAND闪存的关键工序。外界将此举解读为设备巨头游说下的妥协。长鑫存储等中国半导体企业对此表示实际冲击有限。

长鑫存储市场份额与营收增长

根据Omdia的统计数据，长鑫存储在全球DRAM市场的份额已从2025年四季度的4.7%跃升至2026年一季度的7.6%，目前位居全球第四。在财务表现方面，长鑫存储2025财年的收入达到了86亿美元，创下新高。

苹果测试芯片及采购价格分歧

公开资料显示，苹果公司正在iPhone和MacBook等多条产品线中测试长鑫存储的DRAM芯片。在采购洽谈过程中，苹果曾试图压低采购价格，但遭到长鑫存储的断然拒绝。长鑫存储坚持其报价不低于三星电子和SK海力士。据报道，造成这一局面的原因是华为、小米等本土企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能。

其他国产存储进展

在NAND闪存领域，长江存储在制裁压力下稳步推进。其232层3D NAND芯片已实现稳定量产，且部分产品的性能参数已追平国际头部企业。