长鑫存储市场份额增长

根据最新统计数据，长鑫存储在DRAM内存市场的全球份额已快速上升至9.9%，目前稳居全球第四位。尽管与三大领先厂商之间仍存在明显差距，但其DRAM内存收入的环比增速达到99.0%。目前，长鑫存储的市场份额已接近第三名美光的一半。

韩国方面的技术盗窃指控

针对长鑫存储的市场地位，韩国方面指责其盗取了三星的大量DRAM内存技术。相关内存纠纷自2024年1月起已在韩国法庭审理，且该庭审此前已产生多项有罪判决，其中包括两名前三星工程师被判处监禁。

韩国媒体《NoCut News》曝光了所谓的“合肥项目”（Project Hefei），称其核心是一份据称属于长鑫存储的路线图文件。检方称该项目是长鑫存储的整套DRAM内存开发方案，其研发负责人为原三星DRAM内存研发主管。该方案被指包含DRAM内存制造完整的多达620道工序，涵盖设备、耗材、生产工艺全套数据，以及具体的设备供应商和型号。

指控中的时间线与细节

根据指控内容，长鑫存储于2016年6月在合肥成立，2016年8月完成研发方案，2016年9月获得三星的DRAM内存工艺方案文档（PRP），2016年10月挖掘三星核心工程师，并于2017年7月完成DRAM研发。指控称其在2018年8月实现DRAM晶圆量产，月产能1万片。

此外，报道称长鑫在2016年8月最初尝试制造18nm DRAM内存芯片晶圆时仅依靠工程师的集体记忆，但因不足而非法获取了三星的工艺方案文档，随后整理出新版本并下发给多名核心技术人员。

事实争议

针对上述指控，存在事实出入。指控称其于2018年8月量产，但实际情况为该时间点下线的是工程样片，实际量产时间为2019年9月，两者相差一年。同时，报道中提到的18nm DRAM内存芯片晶圆实际应为19nm。