产品发布与背景

湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底。该衬底是一种直径约300毫米、由微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板，主要在先进封装和高温半导体工艺中作为高导热支撑与散热基底，帮助AI芯片等高功率器件快速导出热量。

该公司指出，当前半导体碳化硅赛道市场多聚焦于单晶SiC衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。由于高端多晶材料长期受制于人，大尺寸致密化、高纯度制备及热性能匹配成为制约国内产线扩产的关键痛点。

技术攻关与性能突破

该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间损耗了两台气相沉积炉，解决了材料致密化、大尺寸成型及应力调控等技术难题。

  • 沉积速度：达每小时60微米，高于国内外同行10至20微米的水平。
  • 电阻率：最低电阻率小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平。
  • 缺陷控制：孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。
  • 热学性能：热导率达到300W/(m·K)以上，实现零长裂纹与微裂纹。

应用场景与市场进展

该产品主要面向两大核心应用场景：一是AI芯片先进封装散热基板，其导热系数为传统AlN/Cu方案的2至3倍，且复合衬底比行业现有技术节约近20%的成本；二是复合衬底与刻蚀核心部件，其中刻蚀环部件可将客户加工良率提升60%。

在市场合作方面，该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。目前项目处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。

产业布局

湖南泰坦未来科技有限公司于2026年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目。该基地全面投产后，预计可年产20万片半导体用高性能碳化硅及碳化钽涂层产品。