半导体晶体管结构演进背景

在过去的二十年里，半导体行业通过不断重塑晶体管结构以维持摩尔定律的推进。晶体管的演进路径经历了从早期的平面晶体管，发展至FinFET（鳍式场效应晶体管），目前已演进至GAA（全环绕栅极）纳米片结构。根据相关记录，每一次技术的迭代大约能为芯片的小型化提供十年的发展空间。

新型架构CFET的技术特点

目前，领先的逻辑芯片制造商已将纳米片工艺投入量产。在此背景下，一种名为CFET（互补场效应晶体管）的全新晶体管架构引起了国际电子器件会议（IEDM）以及超大规模集成电路与技术研讨会（VLSI Symposium）的关注。

CFET的核心设计在于改变了晶体管的布局方式：它不再将n型和p型晶体管并排放置，而是将其在垂直方向上相互堆叠。其核心概念基于标准CMOS反相器需要一个NMOS和一个PMOS的结构。